创纪录超高分辨率Micro LED显示屏!Plessey宣布新进展

Jibang TrendForce2019.9.23我要分享

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随着越来越多的供应商开发先进的显示器产品和技术解决方案,小间距显示器正成为面板市场的趋势。 19日,英国GaN-on-Si专家Plessey宣布为可穿戴AR/VR设备开发了创纪录的2.5μm超高分辨率Micro LED显示器。 Plessey一直致力于将Micro LED技术引入AR/VR显示应用。这次,它使用其专有的单片集成硅基GaN技术,以2.5μm间距(2000×2000)实现超精细,超高分辨率,并具有高亮度和高对比度,并在室外环境中观看舒适。与传统的LCOS或DLP显示器相比,此Micro LED显示器仅消耗20%的能量。可以理解,硅GaN技术具有许多优势。例如,硅基板的低热阻提高了吸热效率,从而降低了结温并提高了可靠性。这项技术可提供卓越的能源效率,高分辨率和无与伦比的对比度。由于其与大规模硅集成电路工艺的相似性,基于硅的GaN技术可以扩展到越来越大的晶圆上,从而提高成本,提高一致性和产量。实际上,Plessey通过单片集成Micro LED技术取得了其他技术突破。今年3月,该公司宣布使用最初产生蓝光的硅基氮化镓开发天然绿色LED。天然绿色LED是通过GaN-on-Si外延生长工艺形成的,类似于天然蓝色LED,主要区别是LED量子阱结构中的铟含量。 5月,Plessey在2019年的SID Display Week上展示了首款单片集成硅基GaN Micro LED显示器,该显示器由间距为8μm的单色全高清(1920x1080)电流驱动像素阵列组成。

来源:LEDinside的

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随着越来越多厂商开发先进显示产品和技术解决方案,小间距显示屏正在成为面板市场的发展趋势。19日,英国硅基氮化镓(GaN-on-Si)专家Plessey宣布开发了一个创纪录的2.5μm超高分辨率Micro LED显示屏,用于可穿戴AR/VR设备。Plessey一直致力于将Micro LED技术导入AR/VR显示应用,本次采用了其专有的单片集成硅基氮化镓技术,在2.5μm间距上实现了超精细、超高分辨率(2000×2000)的显示屏,具备高亮度和高对比度等优点,且在室外环境下观看舒适。相比传统 LCOS 或 DLP 显示屏,此款Micro LED显示屏仅消耗20%的能量。 据了解,硅基氮化镓技术具备很多优点。如:硅衬底的低热阻性提高了热提取效率,从而降低结温,增强可靠性。该技术可提供卓越的能效、高分辨率及无可超越的对比度。因其与大规模硅集成电路工艺相似,硅基氮化镓技术可以扩展到逐渐增大的晶圆,改善成本、提高一致性和良率。事实上,Plessey已通过单片集成Micro LED技术获得了其它技术突破。今年3月,该公司宣布采用原本发出蓝光的硅基氮化镓开发出天然绿色LED。天然绿色LED是由GaN-on-Si外延生长工艺形成,与天然蓝色LED类似,主要区别在于LED的量子阱结构中的铟含量。5月,Plessey在2019年 SID Display Week上展出了首个单片集成硅基氮化镓Micro LED显示屏,由间距8μm的单色全高清(1920x1080)电流驱动像素阵列组成。

Source:LEDinside

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